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等离子增强化学气相沉积系统

简要描述:等离子增强化学气相沉积系统
配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好,对于石墨烯生长工艺非常合适,也适用于要求快速升降温的CV

  • 产品型号:TF1200-PECVD型
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2018-11-06
  • 访  问  量:1192
详细介绍
产地类别国产

TF1200-PECVD型等离子增强化学气相沉积系统

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor

Deposition)  等离子体增强化学气相沉积法

等离子增强化学气相沉积系统

设备介绍: 

本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

产品简介

此款设备配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

主要组成系统及特点:

 

本设备主要由管式加热炉体,真空系统,质子流量供气系统,射频等离子源,石英反应腔室等部件组成。

要特点:

    1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

    2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

    3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

    4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、*性和稳定性高。

    5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

 

 

开启式真空管式炉技术参数

 

 

 

 

石英管尺寸

L1400mm  *(根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等规格可选。)

加热元件

掺钼铁铬铝合金电阻丝

测温元件

K型热电偶

加热区长度

400mm  

恒温区长度

200mm

工作温度

≤1100℃

控温模式

模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能

控温精度

±1℃

升温速率

≤20℃/min

电功率

AC220V/50HZ/3KW

质量供气系统技术参数(根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z,三路GQ-2Z,四路GQ-2Z,五路GQ-2Z或更多路供选择。)

 

 

 

 

 

外形尺寸

600x600x600mm

标准量程

50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(ArN2

数显压力表测量范围

-0.1Mpa~0.15Mpa

极限压力

3MPa

针阀

316不锈钢

截止阀

Φ6mm 316不锈钢针阀

电功率

AC220V/50HZ/20W

响应时间

气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec

准确度

±1.5%

线性

±0.5~1.5%

重复精度

±0.2%

接口

Φ6,1/4''

真空系统技术参数(根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1(极限真空0.1Pa),GZK10-3(极限真空0.001Pa),以及进口高真空机组(极限真空0.0001Pa)供选择。)

 

 

 

 

 

外型尺寸

600×600×600mm

工作电电压

220V±10%  50~60HZ

功率

400W

抽气速率

4Ls

极限真空

4X10-2Pa

实验真空度

1.0X10-1Pa

容油量

1.1L

进气口口径

KF25

排气口口径

KF25

转速

1450rpm

射频电源(根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300(300W),DLZ500(500W)或更大功率的射频电源供选择)

 

信号频率

13.56 MHz±0.005%

功率输出范围

5-300W   5W-500W可选

最大反射功率

200W

射频输出接口

50 Ω, N-type, female

功率稳定度

±0.1%

谐波分量

≤-50dbc

供电电压

单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ

整机效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷却方式

强制风冷

 

艾科迅部分客户(CVD及PECVD及管式炉系列)

等离子增强化学气相沉积系统

常见PECVD系统组合

   1. 1200度60滑轨式微型管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,300W射频电源

    TF1200-60S-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ300

   2. 1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源

    TF1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

   3. 1200度60双温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源

    TF1200-60II-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

   4. 1200度60三温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源

    TF1200-60III-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

   5. 1200度60微型预热炉,1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源

    TF1200-60S,MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

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